清華大學實現EUV光源技術突破，或將打破光刻機封鎖，實現彎道超車！

芯片對于現代科技的重要性毋庸置疑，很多領域都需要使用到芯片，制造芯片則是需要光刻機的支持，光刻工藝在整個芯片制造過程的時間占比達到了40%以上。可以說如果沒有光刻機的話基本上無法制造出芯片，中芯國際之前就宣布完成了7nm制程技術的研發，就只是因為無法獲得EUV光刻機，所以一直無法大規模量產7nm芯片。

目前5nm及以下制程的芯片基本上都必須要使用EUV光刻機制造，大多數7nm芯片雖然可以使用浸沒式DUV光刻機通過多次曝光來生產制造，但是這種方式良品率較低，基本上還是需要使用EUV光刻機才能夠制造。

研發EUV光刻機的時候，歐美國家試圖將中國排除在外，研發出來的深紫光束、EUV光源技術等都只有ASML可以使用，這也是為什么全球范圍之內只有ASML可以出貨EUV光刻機的原因。EUV光刻機是生產先進芯片必不可少的設備，中國想要發展先進芯片產業鏈就必須要獲得EUV光刻機，也正是因為這個原因，國內各大高校、企業、研究院都在致力于EUV光刻機相關技術的研發，中國在EUV光刻機方面最近也取得了很多突破。

根據最新消息，清華大學在近期正式宣布：成功研發出一種全新的極紫外光源技術“SSMB-EUV”,這種技術實現了電子束光源的瓦特級化和工業化應用，對于中國半導體設備的制造具有非常重大的意義。這種SSMB-EUV技術采用了等離子體輔助多段型自由電子激光器技術方案。

這種技術最核心的創新之處在利于利用強大的微波電子注入器，以達到產生高亮度脈沖電子束之后再通過主磁場實現電子束的儲存。能夠實現脈沖頻率高達1KHz，單脈沖能力大于100Mj的EUV光束，輸出功率能夠達到10KW量級，是現在所使用的EUV光源的40倍。輸出功率提高之后，光束能夠具有更高的時間、空間相干性，在具體光刻工藝當中的表現就是能夠有效的改善圖像質量。看似這種創新工藝的突破并不高，只不過是提高了脈沖能力以及光源的輸出功率，不過這背后其實是不小的創新突破和技術突破。提高脈沖能力以及光源輸出功率能夠改善光刻工藝的圖像質量這件事其實各大廠商都知道，只不過如何達成這個目標一直都是一個難題。本次清華大學在儲環器、等離子體輔助自聚集結構以及微波電子等領域都實現了不小的突破。

電子束光源一直都是EUV光刻機的核心部件之一，也是研發EUV光刻機必須要突破的核心領域之一，中國實現了電子束光源的突破之后距離實現EUV光刻機的制造又更進一步。此前中國長春光機所已經實現EUV光刻機的光源工程樣機，還有其他國內廠商在物鏡等領域實現的突破。

目前雖然無法制造出頂尖的EUV光刻機，但是在DUV光刻機領域以及EUV光刻機的各項核心技術方面都有不小的突破。此前ASML的工程師曾經很囂張的表示：哪怕將EUV光刻機的圖紙給中國，中國也無法制造出EUV光刻機。已經有制造28nm光刻機的實力。最重要的是，正在致力于EUV光刻機研發自主生產的中國也接連不斷的取得技術突破，毫無疑問的是只要再給中國一段時間，自主制造出EUV光刻機也并非不可能的事情。

只有加強核心技術的自主研發，掌握了核心技術才能夠避免被卡脖子的事情發生，中國廠商不能夠將希望寄托于國外企業身上，必須要自主研發先進技術。